FDMD8530: 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件在双通道功率 (5 mm X 6 mm) 封装中包含两个 30V N 沟道 MOSFET。 HS 源极和 LS 漏极可内部进行连接以实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性

• 最大 r_DS(on) = 1.25 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 35 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.5 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 32 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.25 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 35 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.5 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 32 A
  
• 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes