此器件包括两个 40 V N 沟道 MOSFET,采用双通道 电源 (5 mm X 6 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥,低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。
第二行FDMD 第三行8540L