FDMD8560L: 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件包括两个60 V N-沟道 MOSFET，采用双通道电源 (5 mm x 6mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性

• 最大 r_DS(on) = 3.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 22 A
  
• 最大 r_DS(on) = 5.4 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 18 A
  
• 最大 r_DS(on) = 3.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 22 A
  
• 最大 r_DS(on) = 5.4 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 18 A
  
• 桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚配置能力
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes