FDMD86100: 双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

该封装集成两个在共源配置中内部连接的 N 沟道器件，并采用栅极屏蔽技术。 如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。 以极小的尺寸 (5 x 6 mm) 实现较高的功率密度。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大值 r_DS(on) = 10.5 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 10 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 17.3 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 7.8 A
  
• 满足二次侧同步整流灵活布局的需要
  
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
  
• 100% 经过 UIL 测试
  

Application Notes