FDMD8900: N 沟道 PowerTrench® MOSFET

此器件采用两颗经优化的 N 沟道 FET，置于散热强化型 3.3x5mm Dual Power 封装内。高压源极和低压漏极内部相连，提供低源极电感封装，有助于实现最佳品质因数 (FOM)。

特性

• 最大 r_DS(on) = 4 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 19 A
  
• 最大 r_DS(on) = 5 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 17 A
  
• 最大 r_DS(on) = 6.5 mΩ（V_GS = 3.8 V、I_D = 15 A
  
• 最大 r_DS(on) = 8.3 mΩ（V_GS = 3.5 V、I_D = 14 A
  
• 最大 r_DS(on) = 5.5 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 17 A
  
• 最大 r_DS(on) = 6.5 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 15 A
  
• 最大 r_DS(on) = 9 mΩ（V_GS = 3.8 V、I_D = 13 A
  
• 最大 r_DS(on) = 12 mΩ（V_GS = 3.5 V、I_D = 12 A
  
• 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
  
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  

Application Notes