FDMS0308AS: 30 V N 沟道 PowerTrench® SyncFET

FDMS0308AS 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。

特性

• 最大 r_DS(on)=2.8 mΩ（V_GS=10 V、I_D=24 A
  
• 最大 r_DS(on)=3.5 mΩ（V_GS=4.5 V、I_D=21 A
  
• 低r_DS(on)和高效
  
• SyncFET 肖特基体二极管
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes