FDMS0312AS: N 沟道PowerTrench® SyncFET™

FDMS0312AS 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 5.0 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 18 A
  时）
• 最大值 r_DS(on) = 6.2 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 16 A
  时）
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
  
• SyncFET肖特基体二极管
  
• MSL1耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes