FDMS3008SDC: N 沟道双 CoolTM 56 PowerTrench® SyncFETTM

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench®工艺生产。先进的硅技术和Dual Cool™封装技术完美融合，可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。

特性

• Dual Cool™ 顶侧冷却PQFN封装
  
• V_GS = 10V，I_D = 28A时，最大r_DS(on) = 2.6mΩ
  
• 最大值 r_DS(on) = 3.3 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 22 A
  时）
• 通态电阻 r_DS(on)
  极低的高性能技术
• SyncFET肖特基体二极管
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes