FDMS3016DC: N 沟道 Dual CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性

• Dual Cool™ 顶侧冷却PQFN封装
  
• V_GS = 10V，I_D = 12 A时，最大r_DS(on) = 6.0mΩ
  
• V_GS = 4.5 V，I_D = 10 A时，最大r_DS(on) = 9.0mΩ
  
• 通态电阻 r_DS(on)
  极低的高性能技术
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes