FDMS3606AS: 30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。

特性

• Q1： N沟道
  
• V_GS = 10 V且ID = 13 A_{时，最大R}DS(on) _{= 8 m}Ω
  
• V_GS = 4.5 V且ID = 11_{时，最大R}DS(on) _{= 11 m}Ω
  Q2： N沟道
  
• V_GS = 10 V且ID = 27 A_{时，最大R}DS(on) _{= 1.9 m}Ω
  
• V_GS = 4.5 V且ID = 23 A_{时，最大R}DS(on) _{= 2.8 m}Ω
  
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
  
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes