FDMS3664S: 30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。

特性

• Q1： N沟道
  
• V_GS = 10V，I_D = 13 A时，最大r_DS(on) = 8mΩ
  
• V_GS = 4.5V，I_D = 11A时，最大r_DS(on) = 11mΩ
  Q2： N沟道
  
• V_GS = 10V，I_D = 25 A时，最大r_DS(on) = 2.6mΩ
  
• V_GS = 4.5 V，I_D = 22 A时，最大r_DS(on) = 5.8mΩ
  
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
  
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes