FDMS6681Z: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS6681Z设计用于最大限度地降低负载开关应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。

特性

• V_GS = -10 V，I_D = -21.1 A时，最大r_DS(on) = 3.2 mΩ
• V_GS = -4.5 V，I_D = -15.7 A时，最大r_DS(on) = 5.0 mΩ
• 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低r_DS(on)和高效率
• HBM静电放电保护等级为8 kV，典型值（注3）
• MSL1耐用封装设计
• 符合RoHS标准

Application Notes