FDMS7600AS: 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点，以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 7.5mΩ（V_GS = 10V，I_D = 12A
  
• 最大值 R_DS(on) = 12mΩ（V_GS = 4.5V，I_D = 10A
  
• 最大值 R_DS(on) = 2.8mΩ（V_GS = 10V，I_D = 20A
  
• 最大值 R_DS(on) = 3.3mΩ（V_GS = 4.5V，I_D = 18A
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes