FDMS7650: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已针对低栅极电荷和极低rDS(ON)进行了优化。

特性

• 最大r_DS(on) = 1.1 mO（V_GS = 10 V, I_D = 36 A
  ）
• 最大r_DS(on) = 1.6 mO（V_GS = 4.5 V, I_D = 32 A
  ）
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
  
• MSL1耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes