FDMS7660: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 25 A时，最大r_DS(on) = 2.8 mΩ
• V_GS = 4.5 V，I_D = 19 A时，最大r_DS(on) = 3.5 mΩ
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
• 新一代的增强型体二极管技术，可实现软恢复。 在同步降压转换器应用中以最低的EMI提供类似于肖特基二极管的性能。
• MSL1耐用封装设计
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

Application Notes