FDMS7680: 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET

该 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它为实现低栅极电荷、低RDS(on)、高速开关和体二极管反向恢复性能而优化。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 6.9 mΩ（V_GS= 10 V, I_D = 14 A 时）
  
• 最大值 r_DS(on) = 11 mΩ（V_GS= 4.5 V且I_D = 11 A
  ）
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
  
• 新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
  
• MSL1耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes