FDMS7694: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高整体效率以及最大限度地减少DC/DC转换器的开关节点振铃。它已针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 14 A时，r_DS(on) = 8 mΩ（最大值）
• V_GS = 4.5 V，I_D = 11 A时，最大r_DS(on) = 13 mΩ
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1耐用封装设计
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

Application Notes