FDMS8018: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• V_GS = -10 V，ID = -30 A_{时，最大值r}DS(on) _{= 1.8 m}Ω
  
• V_GS = 4.5 V且ID = 26 A时，最大r_DS(on) = 2.4 m_Ω
  
• 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低r_DS(on)和高效率
  
• 新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
  
• MSL1耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes