FDMS8050: 30 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已针对低栅极电荷和极低 rDS(on) 进行了优化。

特性

• 最大 r_DS(on) = 0.65 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 55 A
  
• 最大 r_DS(on) = 0.9 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 47 A
  
• 低 r_DS(on)和高效的先进硅封装组合
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes