FDMS8320L: 40V N沟道PowerTrench® MOSFET

该 N 沟道 MOSFET 专为使用同步或传统开关 PWM 控制器来改进总体效率和在最大程度上减少 DC/DC 转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低 rDS(on)、快速开关速度和二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• 最大 r_DS(on) = 1.1 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 32 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.5 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 27 A
  
• 低 r_DS(on)和高效的先进硅封装
  
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
  
• MSL1 强健封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes