FDMS8320LDC: N 沟道 Dual CoolTM 56 Power Trench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性

• r_DS(on)最大值 = 1.1 mΩ，需 V_GS = 10 V、I_D = 44 A
  
• r_DS(on)最大值 = 1.5 mΩ，需 V_GS = 4.5 V、I_D = 37 A
  
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 r_DS(on) 和高效率
  
• 下一代增强型体二极管技术，专为软恢复设计
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes