FDMS8333L: N 沟道 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关 PWM 控制器，专为提高 DC-DC 转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 3.1 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 22 A
  
• 最大值 R_DS(on) = 4.3 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 19 A
  
• 低 r_DS(on) 和高效的先进硅封装
  
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes