FDMS8350L: 40V N沟道PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 器件采用Fairchild先进的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制的。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 0.85 mΩ（V_GS = 10 V，I_D = 47 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.2 mΩ，需 V_GS = 4.5 V、I_D = 38 A
  
• 低r_DS(on) 和高效的先进硅封装
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes