FDMS8570S: 25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

此N沟道SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。先进的硅技术和封装技术完美融合，可在提供最小RDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

特性

• Dual Cool™ PQFN封装
• _在VGS _{= 10 V且I}D _{= 28 A}时，最大值R
• _在VGS _{= 4.5 V且I}D _{= 25 A}时，最大值R
• 高性能技术可实现极低的R_DS(ON)
• SyncFET™ 肖特基体二极管
• 符合RoHS标准

Application Notes