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FDMS86101: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDMS86101.pdf
特性
最大值 r
DS(on)
= 8 mΩ(V
GS
= 10 V, I
D
= 13 A
)
V
GS
= 6 V,I
D
= 9.5 A时,最大r
DS(on)
= 13.5mΩ
先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低r
DS(on)
和高效率
MSL1耐用封装设计
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMS86101
量产 绿色:截至2008年12月 中国 RoHS
$1.1721
PQFN 5x6 8L (Power 56) - 1.1 x 5 x 6.15mm, 卷带
PQFN 5x6 8L (Power 56) 示意图
最后更新: 2016年4月
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDMS
第三行
86101
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