FDMS86101A: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDMS86101A: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

**数据手册DataSheet**
FDMS86101A.pdf

特性

V_GS= 10V，I_D = 13 A时，最大r_DS(on) = 8mΩ
V_GS= 6 V，I_D = 9.5 A时，最大r_DS(on) = 13.5mΩ
先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
MSL1耐用封装设计
100%经过UIL测试
100%经过Rg测试
符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDMS86101A	量产绿色：截至2011年11月中国 RoHS	$1.1602	PQFN 5x6 8L (Power 56) - 1.1 x 5 x 6.15mm, 卷带 PQFN 5x6 8L (Power 56) 示意图最后更新: 2016年4月 PQFN Tape and Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年10月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDMS 第三行86101A

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9763 Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting 最后更新 : 2014年6月28日

Datasheet: FDMS86101A.pdf













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