FDMS86150: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 Power Trench® 工艺生产，经过专门设计，能够最大限度地减少通态电阻，并同时保持卓越的开关性能。

特性

• 栅极屏蔽 MOSFET 技术
  
• V_GS = 10V，I_D = 16 A时，最大r_DS(on) = 4.85mΩ
  
• V_GS = 6 V，I_D = 13 A时，最大r_DS(on) = 7.8mΩ
  
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 r_DS(on) 和高效率
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes