FDMS86163P: -100 P 沟道 PowerTrench® MOSFET

此 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性

• 最大 r_DS(on) = 22 mΩ（需 V_GS = -10 V、I_D = -7.9 A
  
• 最大 r_DS(on) = 30 mΩ（需 V_GS = -6 V、I_D = -5.9 A
  
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
  
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes