FDMS86181: 100 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MV MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已经过优化，采用业界最佳的软体二极管最小化通态电阻，同时保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大 r_DS(on) = 4.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 44 A
  
• 最大 r_DS(on) = 12 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 22 A
  
• ADD
  
• Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50%
  
• 减少了开关噪音/EMI
  
• MSL1 强健封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes