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FDMS86200: 150V N沟道Power Trench® MOSFET
这款 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 Power Trench®工艺生产,该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
数据手册DataSheet
FDMS86200.pdf
特性
栅极屏蔽 MOSFET 技术
V
GS
= 10V,I
D
= 9.6A时,最大r
DS(on)
= 18mΩ
V
GS
= 6V,I
D
= 8.8A时,最大r
DS(on)
= 21mΩ
先进的封装和硅技术完美融合,实现了低r
DS(on)
和高效率
MSL1 耐用封装设计
100%经过UIL测试
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMS86200
量产 绿色:截至2010年1月 中国 RoHS
$1.4548
PQFN 5x6 8L (Power 56) - 1.1 x 5 x 6.15mm, 卷带
PQFN 5x6 8L (Power 56) 示意图
最后更新: 2016年4月
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDMS
第三行
86200
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