FDMS86200DC: N 沟道 Dual CoolTM 56 栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，该工艺融入了栅极屏蔽技术。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性

• 栅极屏蔽 MOSFET 技术
  
• Dual Cool™顶侧冷却PQFN封装
  
• 最大值r_DS(on) = 17 mΩ（在V_GS = 10 V, I_D = 9.3 A
  时）
• 最大值r_DS(on) = 25 mΩ（在V_GS = 6 V, I_D = 7.8 A
  时）
• 通态电阻 r_DS(on)
  极低的高性能技术
• 100%经过UIL测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes