FDMS86201: 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性

• 栅极屏蔽 MOSFET 技术
  
• Max r_DS(on) = 11.5 mΩ（V_GS = 10 V，I_D = 11.6 A
  时）
• Max r_DS(on) = 14.5 mΩ（V_GS = 6 V，I_D = 10.7 A
  时）
• 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低r_DS(on)和高效率
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes