FDMS86202: 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大 r_DS(on)= 7.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D= 13.5 A
  
• 最大 r_DS(on)= 10.3 mΩ（V_GS = 6 V、I_D= 11.5 A
  
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现低 r_DS(on)和高效率
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes