FDMS86255: 150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大 r_DS(on) = 12.4 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 10 A
  
• 最大 r_DS(on) = 15.5 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 8 A
  
• 低 r_DS(on)和高效的先进硅封装组合
  
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes