FDMS86300: 80V N沟道PowerTrench® MOSFET

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• V_GS = 10V，I_D = 19A时，最大r_DS(on) = 3.9mΩ
  
• 最大r_DS(on) = 5.5 mΩ （V_GS = 8 V, I_D = 15.5 A
  ）
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
  
• 下一代增强型体二极管技术，专为软恢复设计
  
• MSL1耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes