FDMS86310: 80V N沟道PowerTrench® MOSFET

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• V_GS = 10V，I_D = 17A时，最大r_DS(on) = 4.8mΩ
  
• V_GS = 8 V，I_D = 14 A时，最大r_DS(on) = 6.7mΩ
  
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
  
• 新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
  
• MSL1耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes