FDMS86350: 80V N沟道PowerTrench® MOSFET

这款 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 Power Trench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性

• 最大 r_DS(on) = 2.4 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 25 A 时）
  
• 最大 r_DS(on) = 3.2 mΩ（V_GS = 8 V、I_D = 22 A 时）
  
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 r_DS(on)和高效率
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes