FDMS86520L: 60V N沟道PowerTrench® MOSFET

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• V_GS = 2 V且ID = 13.5 A时，最大r_DS(on) = 8.2 m_Ω
• V_GS = 4.5 V且ID = 11.5 A时，最大r_DS(on) = 11.7 m_Ω
• 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低r_DS(on)和高效率
• MSL1耐用封装设计
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

Application Notes