FDMS9620S: 30V 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件包含两个专用MOSFET，采用独特的双Power56封装。 该器件设计用于提供一个最佳效率和PCB使用的同步降压功率级。 低导通损耗低侧SyncFET是低开关损耗高侧MOSFET的补充器件™。

特性

• 最大 R_DS(on) = 21.5 mΩ（V_GS = 10 V，I_D = 7.5 A）
  
• 最大 R_DS(on) = 29.5mΩ（V_GS = 4.5V，I_D = 6.5A
  
• 最大 R_DS(on) = 13 mΩ（V_GS = 10 V，I_D = 10 A）
  
• 最大 R_DS(on) = 17 mΩ（V_GS = 4.5 V，I_D = 8.5 A）
  
• 低 Q_g高侧 MOSFET
  
• 低 R_DS(on)低侧 MOSFET
  
• 热高效的双 Power 56 封装
  
• 为简单 PCB 设计而优化的引脚配置
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes