FDMT1D3N08B: 80 V N 沟道 Dual CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 0.56 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 64 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 0.9 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 47 A
  
• 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低 r_DS(on)
• 下一代增强体二极管技术，
• 薄型 8x8mm MLP 封装
  
• MSL1 强健封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes