FDN342P: P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。

特性

• -2 A，-20 V。 R_DS(ON) = 0.08 Ω @ V_GS = -4.5 V，R_DS(ON) = 0.13 Ω @ V_GS = -2.5 V。
• 扩展了V_GSS范围(±12V)，适合电池应用。
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)。
• 增强功率SuperSOT™-3 (SOT-23)。

Application Notes