FDN357N: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

SuperSOT™-3 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 这些器件特别适合笔记本电脑、手提电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要在很小尺寸的表面贴装封装中提供快速开关和低线路内功率损耗。

特性

• 1.9 A，30 V，R_DS(ON) = 0.090 Ω @ V_GS = 4.5 V，R_DS(ON) = 0.060 Ω @ V_GS = 10 V。
• 工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有的SuperSOT™-3设计，具有优异的热性能和电气性能。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的R_DS(ON)。
• 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。

Application Notes