FDN359BN: 30V N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆€™半导体€™先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性

• 2.7 A，30 V。
• R_DS(ON)= 0.046 Ω @ V_GS = 10 V
• R_DS(ON) = 0.060 Ω @ V_GS = 4.5 V
• 开关速度非常快。
• 低栅极电荷（5nC典型值）
• 高性能版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23插脚引线高出30%的功率处理能力。

Application Notes