FDN537N: 30V单N沟道Power Trench® MOSFET

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

特性

• VGS = 10 V，ID = 6.5 A时，最大rDS(on) = 23mΩ
  
• V_GS = 4.5 V，I_D = 6.0 A时，最大r_DS(on) = 36mΩ
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 快速开关速度
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes