FDN5618P: =E883 P 沟道 PowerTrench® 额定 G876 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDN5618P: =E883 P 沟道 PowerTrench® 额定 G876

该60V P沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。已针对电源管理应用进行了优化。

**数据手册DataSheet**
FDN5618P.pdf

特性

–1.25 A, –60 V. R_DS(ON) = 0.200Ω @ V_GS = –10 V, R_DS(ON) = 0.230Ω @ V_GS = –4.5 V
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)。

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDN5618P	量产绿色：截至2011年12月中国 RoHS	$0.14	SSOT 3L - 1.12 x 2.92 x 1.4mm, 卷带 SSOT 3L 示意图最后更新: 2015年5月 SOT Tape and Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年10月	第一行&E (空间) &Y (二进制历年编码) 第二行618&E (空间) &G (每周日期代码)

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDN5618P.pdf












Other: Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation Last Update : 23-Oct-2014; Introduction to Power MOSFETs and their Applications Last Update : 29-Mar-2016; A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options Last Update : 05-Mar-2011; A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011; A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation Last Update : 05-Mar-2011; Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014; MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013; Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011; FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014; SSOT 3L Drawing Last Update: May 2015; SOT Tape and Reel Packing Drawing Last Update: Oct 2016

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