FDN5630: 60V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 这款 MOSFET 拥有较小的 SOT23 尺寸，可实现非常低的 RDS(ON)。 与其他具有同等 RDS(ON)规格的 MOSFET 相比，利用飞兆的 PowerTrench 技术可实现更快的开关速度。 这样一来，总体效率更高，所需的电路板空间更小。

特性

• 1.7 A、60 V、R_DS(ON) = 0.100 Ω（V_GS = 10 V），
  R_DS(ON) = 0.120 Ω（V_GS = 6 V）。
  
• 专门针对高频 DC/DC 转换器应用进行了优化。
  
• 低栅极电荷。
  
• 极快速开关。
  
• SuperSOT™ - 3 能够以 SOT23 尺寸实现较低的 R_DS(ON)。
  

Application Notes