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FDP085N10A: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,96A,8.5mΩ
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDP085N10A.pdf
特性
R
DS(on)
= 7.35mΩ (典型值)@ V
GS
= 10V, I
D
= 96A
快速开关速度
低栅极电荷,Q
G
= 31nC(典型值)
高性能沟道技术可实现极低的 R
DS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDP085N10A_F102
量产 绿色:截至2010年12月 中国 RoHS
$1.728
TO-220 3L - 4.5 x 10 x 15.35mm, 管装
TO-220 3L 示意图
最后更新: 2015年10月
TO220-3L, JEDEC VARIATION AB (DELTA), PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDP
第三行
085N10A
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TO-220 3L Drawing
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TO220-3L, JEDEC VARIATION AB (DELTA), PACKING DRAWING
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