FDP150N10A: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 50A, 15mΩ _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDP150N10A: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 50A, 15mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

**数据手册DataSheet**
FDP150N10A.pdf

特性

R_DS(on) = 12.5mΩ （典型值）@ V_GS = 10V，I_D = 50A
快速开关速度
低栅极电荷，Q_G = 16.2nC（典型值）
高性能沟道技术可实现极低的 R_DS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDP150N10A_F102	量产绿色：截至2010年12月中国 RoHS	$1.188	TO-220 3L - 4.5 x 10 x 15.35mm, 管装 TO-220 3L 示意图最后更新: 2015年10月 TO220-3L, JEDEC VARIATION AB (DELTA), PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDP 第三行150N10A

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

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AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度最后更新 : 2014年6月28日

Datasheet: FDP150N10A.pdf













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