FDP15N40: N 沟道 UniFETTM MOSFET 400V, 15A, 300mΩ

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性

• R_DS(on) = 240mΩ （典型值）@ V_GS = 10V, I_D = 7.5A栅极电荷低（典型值：28nC)
• 低 C_rss（典型值17pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 符合 RoHS 标准

Application Notes