FDP39N20: N 沟道 UniFETTM MOSFET 200 V, 39 A, 66 mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体公司的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术开发。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性

• R_DS(on) = 66 mΩ（最大值），需 V_GS = 10 V、I_D = 19.5 A
• 低栅极电荷（典型值 38 nC)
• 低C_rss（典型值 57 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes